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5月28日上午,湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地,察看碳化硅晶圆生产线,并见证基地首片晶圆生产下线。
随着首片晶圆从生产车间成功下线,总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产!这不仅是长飞先进发展历程中一个重要里程碑,更意味着年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时。
这是目前我国规模最大的碳化硅半导体基地,可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%,有望破解我国新能源产业缺芯困局。
这座总投资超200亿元的半导体超级工厂,一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,可年产36万片6英寸碳化硅晶圆,产能跻身全球前列,达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求,推动我国第三代半导体实现从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。
碳化硅是新一代信息技术的基础材料,因其耐高温、耐高频、耐高压的性能优势,碳化硅功率器件被广泛应用在新能源汽车、智能电网、数据中心、轨道交通等多个领域,被誉为引领新能源领域的“下一代功率半导体”、新能源时代的“技术心脏”,是全球争相抢占的科技制高点。
“目前国内新能源汽车使用的碳化硅功率芯片多数是进口,国产产品占有率还不到10%。”长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚先容,基地最新下线的6英寸碳化硅晶圆将主要应用于新能源汽车的主机驱动,“已通过车规可靠性认证,良率达到97%,处于业界最高水平”。
长飞光纤实行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹先容,碳化硅功率半导体、化合物半导体这个方向,有极大的市场,长飞先进将打造一个新的赛道,为中国的化合物半导体功率器件的发展去做更大的贡献。
当前,我国碳化硅器件国际市场规模年均增速超30%,是全球产能的重要提供者。作为武汉东湖科学城首个落地的百亿级半导体项目,长飞先进基地从一片荒地起步,10个月封顶、18个月量产,吸引超20家配套企业落户,覆盖设备、材料、封测的第三代半导体全产业链,形成了国内首个碳化硅全产业链集群。
长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示,光谷要打造第三代半导体的产业集群,九峰山实验室就是一个化合物的实验室,工厂落地之后就开始进行产业化了,总投资会达到200亿。
近年来,武汉将化合物半导体列为“未来产业六大方向”之一,以九峰山实验室为核心,计划3年引进和培育上下游企业100家,加快把武汉光谷打造成化合物半导体领域的“世界灯塔”。
工信部信息通信经济专家委员会委员盘和林表示,湖北打造长飞先进武汉基地,既是突破半导体核心技术封锁的破局之要,也是地方政府“链长制”招商与龙头企业技术攻坚的典范。通过技术攻坚、产能释放与生态聚合,为全球第三代半导体竞争注入中国力量。
来源:湖北发布、长江日报、长飞先进等
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