美国、日本大举投资EUV光刻机，韩国进度落后

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随着全球研发下一代半导体技术的竞赛加速，美国和日本正通过公私合作模式大举投资极紫外（EUV）光刻设备。相比之下，受限于预算规模，韩国在部署尖端设备方面进度滞后，业界担忧韩国可能在半导体霸权争夺中落于下风。

美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约Albany NanoTech Complex安装EUV设备。从2025年7月起，NSTC将向行业合作伙伴提供EUV研发服务。其计划于2026年引入价值近5000亿韩元（约合3.68亿美金）的先进高数值孔径（High NA）EUV系统，以支撑更前沿的芯片制造研究。

NSTC于2024年2月成立，获50亿美金美国联邦资金支撑，定位为协作研究中心，向加入为成员的半导体制造商、材料供应商及设备企业开放。

日本也在推进EUV技术能力建设。日本政府正于日本产业技术综合研究所（AIST）新建研发设施，配备EUV设备，并计划到2027年投入运营。目标是在日本重新确立自己在全球芯片行业的地位之际，增强日本的技术优势。

尽管韩国两年前宣布计划建立类似比利时IMEC（全球知名先进微电子研究中心）的本土机构，但该计划此后陷入停滞。由佛兰德斯地区政府支撑的IMEC独立运营，近期与ASML等行业巨头签署战略合作伙伴关系，以推进EUV创新并向2nm以下制程突破。

尽管韩国产业通商资源部（MOTIE）已与厂商合作，在龙仁市建设“小型晶圆厂”，但该设施配备的是较旧的ArF浸润式光刻系统，而非EUV设备。ArF设备虽仍被广泛使用，却缺乏生产10nm以下芯片架构所需的分辨率，而这正是EUV技术旨在填补的空白。

由于成本高昂，全球仅有少数企业——台积电、SAMSUNG电子、SK海力士、英特尔和美光——投资EUV光刻技术。每台EUV设备均由ASML独家生产，成本可能超过2000亿韩元，年度维护费用高达300亿韩元。

对于材料供应商、零部件制造商和半导体设备企业而言，获取EUV技术通常需要与已拥有相关设备的机构合作。若缺乏这种渠道，许多中小型企业将被挡在芯片研究的最前沿领域之外。

韩国“小型晶圆厂”项目的设备预算预计仅为3000亿韩元，这使得采购EUV设备不切实际。这一资金缺口可能导致半导体产业生态出现两极分化——仅有大型企业能在尖端技术领域竞争，而中小企业则被甩在身后。

行业专家警告称，若不在EUV基础设施上进行大胆投资，韩国可能在定义下一代半导体制造技术的竞赛中落后于美国、日本和欧洲。目前，越来越多的人士呼吁韩国政府采取果断行动，确保国内企业能够获得保持全球竞争力所需的设备。