高通放弃SAMSUNG代工？第二代骁龙8至尊版芯片全由台积电代工

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有博主在X平台发布推文，曝料称高通已取消了SAMSUNG的2纳米工艺代工计划，不再委托其生产第二代骁龙8至尊版芯片。

高通内部列表中，此前对第二代骁龙8至尊版芯片（基础型号编号 SM8850），有2个版本：一种是台积电制造的3纳米版本（编号为 8850-T），另一种是SAMSUNG基于2纳米技术制造的版本（编号为 8850-S）。

骁龙8 Elite 2是高通下一代旗舰移动处理器，预计于2025年9月底发布。其采用台积电第三代3纳米（N3P）工艺，CPU为第二代自研Oryon架构，2+6全大核设计，主频达4.4GHz。GPU为Adreno 840，独立缓存16MB，图形性能提升约30%。它还支撑SME等指令集，AI性能强劲。整体性能相比上一代显著提升，有望由小米16系列首发搭载。而最新消息称高通内部已不再区分版本，只剩下基础的SM8850型号，推测指的是台积电制造的3纳米芯片。

科技媒体Android Headline观点，认为从种种迹象表明，高通第二代骁龙8至尊版可能完全依赖台积电代工。高通上调了第二代骁龙8至尊版芯片原型的价格，现在对感兴趣的企业来说，成本高达15000美金。消息源还透露高通正在研发SM8845芯片，预估为骁龙8s Gen 5芯片，但目前尚不清楚具体规格细节。

另外，SAMSUNG将代工生产部分高通骁龙8 Elite 2芯片，工艺升级为2纳米制程的SAMSUNGSF2，套片报价比台积电3纳米版本更低，或将于明年上线。

SAMSUNG对其2纳米工艺已有完整布局，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多个节点。其中，SF2为首个实现量产的2纳米工艺节点。相比上一代，该工艺在性能方面提升12%，能效提升25%。同时，SF2采用了GAA技术，中文名称为“全环绕栅极”晶体管架构。相关信息表明，GAA架构在性能和制造良率方面正在不断成熟。

至于更先进的1.4纳米，SAMSUNG原定于今年第二季度动工的1.4纳米测试线建设计划已被推迟，预计投资将延后至今年年底或最早明年上半年。这一调整意味着SAMSUNG原计划于明年开始提供的1.4纳米工艺服务可能会延期，业界预计其量产时间可能推迟至2028年左右。

推迟投资决策的主要原因是SAMSUNG晶圆代工业务面临的市场低迷，今年第一季度，SAMSUNG晶圆代工部门录得约2万亿韩元的亏损。由于客户订单减少和销售额下滑，SAMSUNG已将其年初约10万亿韩元的年度设备投资计划削减至约5万亿韩元，采取更为保守的投资和管理策略。面对市场压力，SAMSUNG电子现阶段将重心转向“强化内部结构”，集中人力和投资资源于计划于今年年底量产的2纳米工艺上。

SAMSUNG2纳米制程已进入关键节点 —— 为Galaxy S26系列定制的 Exynos 2600芯片已启动原型量产，目标是在不牺牲性能的前提下将良率提升至50%以上。若达成这一目标，SAMSUNG计划于2026年初开启全面量产。

值得注意的是，SAMSUNG2纳米工艺的良率提升颇具挑战性。今年初的初始测试量产中，其良率仅约30%，目前的良率已达到40%，而此次50%的目标若实现，将较初期提升20个百分点。这一进展被视为SAMSUNG Foundry 的重要里程碑，尤其是对比其3纳米工艺 —— 即便量产三年，良率仍徘徊在50%左右。作为SAMSUNG2纳米技术的 “试金石”，Exynos 2600的性能与良率将直接影响业界对其下一代制程的信心。若能成功量产，SAMSUNG有望凭借Exynos芯片重新与高通骁龙形成竞争，进一步控制成本。

尽管台积电当前良率领先，但SAMSUNG正通过技术迭代缩小差距。SAMSUNG寄望于3纳米 GAA 架构的经验积累，加速2纳米良率提升，并挖角台积电前高管韩美玲（Margaret Han）执掌晶圆代工部门，试图复制台积电的管理经验。而台积电则凭借成熟的良率和客户信任度，巩固其龙头地位。

业内分析指出，2纳米制程的竞争不仅关乎技术实力，更直接影响半导体产业链的话语权。SAMSUNG若能将良率稳定在50%以上，有望以成本优势吸引NVIDIA、高通等客户作为备选供应商，而台积电则凭借更高良率和产能保障，继续占据主流订单。随着两家巨头在 2025年下半年陆续投产2纳米，一场围绕高性能芯片的 “代工大战” 已一触即发。